熱起電力 (Thermal EMF)

異種金属の接合が温度勾配下にあるとき、ゼーベック効果により温度差に比例した微小 DC 電圧が発生する。抵抗器内部では素子（ニクロム、Manganin 線）と端子（錫メッキ銅、半田）の界面で生じる。ゼーベック係数：Cu-NiCr 約 1 μV/°C、精密シャント用 Cu-Manganin/Karma で 0.05 μV/°C 程度。

電力用途では無視できるが、精密 DC では支配的：4 線 100 mΩ シャント、1 A で信号 100 mV、2 μV/°C × 5 °C = 10 μV = フルスケール 100 ppm、0.1% 精度を破壊。ブリッジ、電圧リファレンス、恒温標準、7½ 桁 DMM はいずれも熱起電力を意識する。

対策：(1) 対称配置で両 Kelvin リードを同温に、(2) 低 EMF 端子（Cu/Cu-Manganin）、(3) 空気流 / シールドで勾配抑制、(4) AC 励起で DC オフセットを無視（ブリッジやチョッパアンプ）。精密シャントは μV/°C を規定、6½ 桁計測では < 0.5 μV/°C が必要。