TCR（抵抗温度係数）

TCR は素子温度に対する抵抗値変化を ΔR / (R × ΔT)、単位 ppm/K で定量化する。±50 ppm/K の 100 Ω 抵抗は 100 °C の温度変化で ±0.5 Ω 漂移するが、±5 ppm/K 精密品は ±0.05 Ω に留まる。正（銅）または負（炭素・半導体）の値をとる。

精密比を作るすべての場面で重要：オペアンプ帰還、計装アンプのゲイン素子、電流シャント（1 ppm/K がそのまま測定誤差）、電圧リファレンス、DAC の R-2R 等。大電流シャントは定格内でも自己発熱で数十 K 上昇するため、Manganin（≈15 ppm/K）や Zeranin など低 TCR 合金が必須。

電力抵抗では ±200 ~ ±400 ppm/K が一般的で、消費目的のため重要度は下がるが、極端な値はスナバ減衰やプリチャージ時定数を高温で規格外にする恐れがある。最悪解析では低温端と高温端の両方の抵抗値を確認する。