スナバ抵抗

電力半導体が誘導性負荷を遮断するとき、漂遊インダクタンスの蓄積エネルギー（L_stray × I）が V = L × dI/dt の電圧スパイクとして素子両端に放出される。保護なしでは耐圧超過で破壊、または L_stray と素子出力容量の共振が EMI 放射と半導体ストレスを生む。スナバ抵抗はコンデンサ（RC）またはコンデンサ + ダイオード（RCD）と組んでエネルギー吸収と減衰を行う。

RC スナバ：R は臨界減衰 R = √(L_stray / C) で選定。C は dV/dt を素子 SOA 内（旧 IGBT で < 1 kV/μs 程度）に抑制。スナバ消費電力 P = ½ × C × V² × f_sw × 2（毎周期の充放電）はハードスイッチ 100 kHz 変換器で数十 W に達することも。スナバ抵抗はピーク電圧だけでなくスイッチング周波数での連続 AC 電力に耐える必要がある。

構造が重要：高速電圧過渡のため低インダクタンス抵抗が必須 —— 双線巻線か厚膜、通常の螺旋巻線は不可。一般的に 5 ~ 50 Ω、5 ~ 25 W。RCD スナバ（コンデンサをダイオードで充電、抵抗で放電）は高周波で R の連続損失を低減する。