스너버 저항기

전력 반도체가 유도성 부하를 차단할 때 표류 인덕턴스 에너지(L_stray × I)가 V = L × dI/dt 전압 스파이크로 소자 양단에 방출됩니다. 보호 없으면 절연 파괴를 일으키거나 L_stray와 소자 출력 정전용량 간 공진을 일으켜 EMI 방사·실리콘 스트레스를 만듭니다. 스너버 저항기는 커패시터(RC) 또는 커패시터+다이오드(RCD)와 결합해 에너지를 흡수·댐핑합니다.

RC 스너버: 임계 댐핑 R = √(L_stray / C); C는 dV/dt를 SOA 이내(구형 IGBT는 < 1 kV/μs)로 제한. 소비 전력 P = ½ × C × V² × f_sw × 2 — 100 kHz 하드 스위칭 컨버터에서 수십 W에 이를 수 있습니다. 스너버 저항기는 피크 전압뿐 아니라 스위칭 주파수에서의 연속 AC 전력을 견뎌야 합니다.

구조 중요: 빠른 전압 과도 → 저인덕턴스 저항기 필수 — 바이파일러 권선 또는 후막, 일반 헬리컬 권선은 부적합. 일반 5~50 Ω, 5~25 W. RCD 스너버(커패시터를 다이오드로 충전, 저항기로 방전)는 고주파에서 R의 연속 손실을 감소시킵니다.