Résistance snubber
Résistance d'un réseau RC ou RCD aux bornes d'un interrupteur (MOSFET, IGBT, diode, thyristor) pour amortir les transitoires, limiter le dV/dt et protéger le semi-conducteur des surtensions.
Définition
À la coupure d'une charge inductive, l'énergie de l'inductance parasite (L_stray × I) génère une pointe V = L × dI/dt aux bornes du semi-conducteur. Sans protection, claquage ou résonance avec la capacité de sortie (EMI, stress). La résistance snubber avec condensateur (RC) ou condensateur + diode (RCD) absorbe et amortit.
Snubber RC : R = √(L_stray / C) pour amortissement critique ; C limite dV/dt à la SOA (par ex. < 1 kV/μs IGBT anciens). Puissance dissipée P = ½ × C × V² × f_sw × 2 — plusieurs dizaines de watts à 100 kHz dur. La résistance doit tenir une puissance AC continue à la fréquence de commutation.
Construction : transitoires rapides → résistances faible inductance obligatoires — bifilaire ou couche épaisse, jamais bobinage standard. Tailles courantes 5 – 50 Ω, 5 – 25 W. Snubber RCD (charge via diode, décharge via R) réduit la perte continue en HF.
Termes liés
Bobinage non inductif
Famille de techniques de bobinage (bifilaire, Ayrton-Perry, couches inversées) qui rendent négligeable l'inductance propre d'une résistance bobinée, la rendant utilisable en HF, impulsion et commutation.
Bobinage bifilaire
Technique non inductive où deux fils parallèles (ou un fil replié) sont enroulés côte à côte, les courants opposés annulant le champ magnétique et réduisant fortement l'inductance.
Résistance à couche épaisse
Résistance fabriquée par sérigraphie d'une pâte à base d'oxyde de ruthénium et de fritte de verre sur substrat céramique, cuite à ~850 °C ; dominante en CMS et résistances HT cylindriques.
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