热电动势 (Thermal EMF)

两种不同金属在温度梯度下连接时，塞贝克效应会产生与温差成正比的微小直流电压。在实际电阻内部，这发生在电阻元件（如镍铬合金或 Manganin 丝）与端接（通常镀锡铜或焊料）的界面。比例系数即塞贝克系数 —— Cu-NiCr 约 1 μV/°C，精密分流器特选的 Cu-Manganin 或 Cu-Karma 可低至 0.05 μV/°C。

对功率电阻而言几微伏可忽略，但在精密 DC 场合举足轻重：4 线 100 mΩ 分流器测 1 A 仅产生 100 mV 信号 —— 2 μV/°C × 5 °C 梯度 = 10 μV 即满量程的 100 ppm，足以破坏 0.1% 精度等级。电阻电桥、电压基准、恒温标准与 7½ 位 DMM 都须考虑热电动势。

抑制方法：(1) 对称布局使两根 Kelvin 测量引线处于同温；(2) 低热电势端接，如 Cu/Cu-Manganin 或包铜铜焊点；(3) 气流 / 屏蔽抑制梯度；(4) 采用交流激励，完全忽略直流偏置（多种电桥与斩波放大器即此原理）。精密分流器规格书以 μV/°C 给出热电势指标；6½ 位仪器以下要求 < 0.5 μV/°C。