缓冲（吸收）电阻

功率半导体关断电感性负载时，杂散电感储能（L_stray × I）以电压尖峰 V = L × dI/dt 形式释放至器件两端。无保护时，此尖峰可超过器件耐压而破坏开关，或激发 L_stray 与器件输出电容之间的谐振，辐射 EMI 并应力硅芯片。缓冲电阻配合电容（RC）或电容 + 二极管（RCD）吸收能量、阻尼谐振。

RC 缓冲器中 R 按临界阻尼选取：R = √(L_stray / C)，C 选为将 dV/dt 限制在器件 SOA 内（旧 IGBT 通常 < 1 kV/μs）。缓冲器功耗 P = ½ × C × V² × f_sw × 2（每周期充放电），硬开关 100 kHz 变换器中可达数十瓦。缓冲电阻须能在开关频率下承受连续 AC 功率，不只是耐峰值电压。

结构很关键：缓冲器承受快速电压瞬变，必须使用低电感电阻 —— 双线绕或厚膜，不可用标准螺旋绕线。常见 5 ~ 50 Ω、5 ~ 25 W。RCD 缓冲器（电容经二极管充电、经电阻放电）可降低 R 在高频下的连续损耗。