열저항

열저항 R_θ는 전기 저항의 열적 대응으로, 주어진 경로를 통과하는 1 W의 열당 K의 온도 상승: ΔT = P × R_θ. 본체-주위 열저항(R_θ_BA)이 동작 온도를 결정합니다. 100 W RH-100 + 히트싱크: R_θ_BA = 1.3 K/W → 풀로드 시 +130 K. 히트싱크 없으면 R_θ_BA ≈ 4 K/W로 동일 100 W가 +400 K를 만들어 안전 한계 초과.

경로: 소자 → 케이스(R_θ_EC, 포팅재로 결정), 케이스 → 히트싱크(R_θ_CH, 열계면재·체결 토크), 히트싱크 → 주위(R_θ_HA, 크기·풍량). 합 = 총합. SMD 칩: 소자 → 솔더 패드 → PCB 구리 → 공기, 0805에서 R_θ_BA 통상 100~300 K/W.

R_θ는 시스템 열설계의 핵심 수치입니다. 실제 설치에서 R_θ를 확인하지 않은 50 % 디레이팅은 보수적으로 보이는 저항도 현장에서 과열 실패하게 할 수 있습니다. 데이터시트는 여러 설치 시나리오의 R_θ를 제공; 비표준 설치는 실측 또는 시뮬레이션(FEM·Spice 열)을 수행하세요.